Nomor bagian:NTTFD4D0N04HLTWG
Teknologi:MOSFET (Oksida Logam)
Konfigurasi:2 Saluran-N (Ganda)
Nomor bagian:NTHL040N120SC1
Tipe FET:Saluran-N
Teknologi:SiCFET (Silikon Karbida)
Nomor bagian:NVMTS0D7N04CTXG
Kategori Produk:MOSFET
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:0,67mOhm @ 50A, 10V
Nomor bagian:NVHL060N090SC1
Arus penguras tegangan gerbang nol:100 uA
Arus Kebocoran Gerbang−ke−Sumber:±1 uA
Nomor bagian:NTP055N65S3H
Waktu Tunda Penyalaan Umum:30 detik
Seri:SuperFET® III
Nomor bagian:NTMFS0D9N03CGT1G
Arus penguras berdenyut:900 A
Junction−to−Case – Steady State:1,0 °C/W
Nomor bagian:FDBL9403-F085T6
Sumber Arus:330 A
Kapasitansi Masukan:6985 pF
Nomor bagian:NTMFS5C628NT1G
Matikan Waktu Tunda:25 detik
Tegangan Dioda Maju:1.2V
Nomor bagian:NVH4L040N65S3F
Teknologi:MOSFET (Oksida Logam)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Nomor bagian:NVMFS5C670NWFT1G
Tegangan penggerak:10V
Rd Aktif:7mOhm
Nomor bagian:NTP125N65S3H
Teknologi:MOSFET (Oksida Logam)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Nomor bagian:NTMFS005N10MCLT1G
Vgs(th) (Max) @ Id:3V @ 192µA
Disipasi Daya (Maks):3W (Ta), 125W (Tc)