Nomor bagian:S70KS1282GABHB030
Teknologi:PSRAM (Pseudo SRAM)
Tipe Memori:Lincah
Nomor bagian:S27KL0642GABHI023
BERSIAP:330 µA
Sensitif terhadap kelembaban:Ya, aku tahu.
Nomor bagian:S26HS01GTGABHM020
Tingkat jam:50 MHz
SPI Baca Cepat:20,75 MBps
Nomor bagian:S70KL1282GABHI023
Tingkat jam maksimum:200 MHz
Waktu akses maksimum:35 nS
Nomor bagian:S27KS0643GABHB023
Ukuran memori:64Mbit
Frekuensi Jam:200 MHz
Nomor bagian:S70KL1283GABHV023
Bis data:8-bit
Tingkat jam:200-MHz
Nomor bagian:S27KS0642GABHI020
Organisasi Memori:8Mx8
Antarmuka Memori:HyperBus
Nomor bagian:S70KS1283GABHB023
Format memori:PSRAM
Antarmuka Memori:SPI - Oktal I/O
Nomor bagian:S80KS5123GABHA020
Waktu Akses Awal:35 nS
Bandwidth:400 MByte/dtk
Nomor bagian:S27KL0642GABHI020
Frekuensi Jam:200 MHz
Waktu akses:35 nS
Nomor bagian:S80KS2563GABHV023
Tingkat jam:1,8 V
BERSIAP:105 °C
Nomor bagian:S80KS2562GABHI020
Industri (saya):-40°C hingga +85°C
Dukungan antarmuka:1,8 V / 3,0 V