Nomor bagian:S28HS01GTGZBHI030
Kemasan:BGA
Jenis:Chip Memori
Nomor bagian:S70KS1283GABHA020
Teknologi:DRAM 38-nm
Kemasan:FBGA 24 bola
Nomor bagian:S28HS01GTGZBHV033
Siklus minimal:500
Siklus Program/Hapus:sektor 4KB
Nomor bagian:S70KS1282GABHB033
Ruang alamat terdiri:sektor 256KB
Integritas data:perangkat 256Mb
Nomor bagian:S70KS1283GABHV020
PSRAM:128 Mb
Setengah halaman:16 byte
Nomor bagian:S80KS5122GABHV020
Tegangan Pasokan - Maks:2 V
Tegangan Pasokan - Min:1,7 V
Nomor bagian:S80KS5123GABHV020
Organisasi Memori:64Mx8
Pasokan Saat Ini - Maks:44 mA
Nomor bagian:S80KS2562GABHM020
DRAM:256 Mb
BERSIAP:105 °C
Nomor bagian:S27KL0643GABHI023
Bis data:8-bit
Tingkat jam:200 MHz
Nomor bagian:S26HS512TGABHV010
Tegangan - Pasokan:1.7V ~ 2V
Sensitif terhadap kelembaban:Ya, aku tahu.
Nomor bagian:S26HS512TGABHV013
DDR Baca:166MHz
Status Produk:Aktif
Nomor bagian:S70KS1282GABHB030
Teknologi:PSRAM (Pseudo SRAM)
Tipe Memori:Lincah